三星制定DRAM发展蓝图15纳米是制程微缩极限

本文摘要：三星电子为了稳固存储器霸业，制订DRAM发展蓝图，擘划出制程微缩工程进度。业界预估，15纳米有可能是DRAM制程微缩的无限大，忧虑三星遭到中国业者平上。韩媒etnews18日报导，业界消息称之为，三星去年开始量产18纳米DRAM，目前于是以研发17纳米DRAM，预计今年底已完成研发、明年量产。 与此同时，三星也正式成立16纳米DRAM研发小组，目标最慢2020年量产。涉及人士透漏，微缩可玩性低，2020年量产时间有可能延后。

三星电子为了稳固存储器霸业，制订DRAM发展蓝图，擘划出制程微缩工程进度。业界预估，15纳米有可能是DRAM制程微缩的无限大，忧虑三星遭到中国业者平上。韩媒etnews18日报导，业界消息称之为，三星去年开始量产18纳米DRAM，目前于是以研发17纳米DRAM，预计今年底已完成研发、明年量产。

与此同时，三星也正式成立16纳米DRAM研发小组，目标最慢2020年量产。涉及人士透漏，微缩可玩性低，2020年量产时间有可能延后。

三星从20纳米制程（28→25→20），转往10纳米制程（18→17），增大线宽（Line－width）的速度显著上升。三星仍未正式成立15纳米制程以下的研发团队，因为由此开始，电流泄漏和电容器阻碍和情况将更加显著，必须研发新的材质。

三星设备解决方案部门的半导体实验室人员JungEun－seung说道，为了之后增大线宽，必需研发与当前有所不同的新材质，并提升制程稳定性，以便转入量产。业界人士估算，15纳米也许是制程微缩的无限大，未来三星有可能无法利用制程微缩拉大与输掉差距，并忧虑中国业者急起直追，跟上三星。

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